本文摘要納米氣泡的粒度表征，受限于其顆粒濃度低、粒徑分布寬等特點，若使用動態(tài)光散射（DLS）技術(shù)進行測試，信號弱，數(shù)據(jù)質(zhì)量較差。本文將介紹利用納米顆粒跟蹤（NTA）技術(shù)實現(xiàn)實時、可視化的納米氣泡顆粒表征，可以很好的應(yīng)對納米氣泡的特殊性，取得高分辨的粒度分布結(jié)果，并可以快速捕捉在不同條件下粒徑和濃度的變化，以研究納米氣泡的長期穩(wěn)定性。01丨背景介紹納米氣泡因其物理和化學特性，而廣泛應(yīng)用于水體修復(fù)、工業(yè)清洗、水產(chǎn)養(yǎng)殖、藥物傳遞、污水處理等領(lǐng)域。盡管納米氣泡的制備方法已相對成熟，但...

納米顆粒跟蹤分析儀是一種先進的儀器，用于對液體懸浮液中的納米顆粒進行粒度分布和濃度分析。是利用光散射和布朗運動的原理，對懸浮液中的納米顆粒進行追蹤和分析。當激光束穿過樣品溶液時，顆粒會散射光線，通過高靈敏度的光學顯微鏡收集這些散射光信號，并觀察粒子的運動軌跡?；诓祭蔬\動理論，利用Stokes-Einstein方程計算顆粒的流體力學半徑，從而得到粒度分布信息。納米顆粒跟蹤分析儀常見的問題及對應(yīng)的解決方法：一、樣品制備相關(guān)問題①問題：樣品濃度過高或過低。表現(xiàn)：如果樣品濃度過高，...

納米粒度電位儀是一種在科研和工業(yè)領(lǐng)域廣泛使用的精密物理測量工具，能夠準確測量納米級別的顆粒大小和電位變化。其基于電學和納米技術(shù)的結(jié)合，通過電泳和沉降原理來測量顆粒的大小和電位。在電場作用下，顆粒會受到電場力的作用而發(fā)生移動，其移動速度與顆粒的大小、形狀和電荷量有關(guān)。通過測量顆粒在電場中的移動速度，可以推算出顆粒的大小和電位。具體來說，激光散射技術(shù)用于測量顆粒的尺寸分布，而電泳技術(shù)則用于測量顆粒的表面電荷性質(zhì)，即Zeta電位。納米粒度電位儀其結(jié)構(gòu)主要包括以下幾個部分：1、光學系...

微量熱差示掃描量熱儀是一種先進的熱分析儀器，它在材料科學、化學、藥物研發(fā)、食品工業(yè)及能源領(lǐng)域等多個方面發(fā)揮著重要作用。其工作原理基于比較樣品與參比物在相同加熱或冷卻條件下的熱流差異。當樣品發(fā)生物理或化學變化時，如熔融、結(jié)晶、玻璃化轉(zhuǎn)變等，會吸收或釋放熱量，導致與參比物的熱流產(chǎn)生偏差。DSC通過精確測量這種偏差，并將其轉(zhuǎn)化為熱流隨溫度或時間變化的曲線，從而提供豐富的物質(zhì)信息。以下是關(guān)于微量熱差示掃描量熱儀結(jié)構(gòu)的詳細說明：一、主要組成部分1、傳感器單元測溫傳感器：通常采用高精度的...

磨料用SiO2漿料的顆粒粒度對硅晶片的微觀形貌有直接影響，進而會影響到后續(xù)工序電介質(zhì)膜的均勻性；此外，漿料的穩(wěn)定性也會影響晶片拋光過程，所以磨料的顆粒表征非常重要，本文介紹了利用動態(tài)光散射技術(shù)（DLS）和電泳光散射技術(shù)（ELS）對硅基漿料的顆粒粒度和Zeta電位進行表征的實驗及結(jié)果討論。01丨背景介紹磨料漿液用于去除硅晶片表面的材料和不規(guī)則形貌。這樣做是為了在硅片表面形成附加電路元件。晶片的微觀形貌與所用漿料的粒度分布有關(guān)，因為粒度會影響隨后加工的電介質(zhì)膜的均勻性[1]。漿料...